光致抗蚀剂(photoresist)，又称光刻胶，是集成电路中实现芯片图形转移的关键基础化学材料，它决定着微电子技术的发展水平。
在光刻胶的高端领域，技术一直为美国、日本厂商等所垄断，其中248nm光刻胶用于8-12英寸超大规模集成电路的制造。目前中国8英寸硅片集成电路生产厂家建成和在建共19家，产能44.2万片/月，需用248nm光刻胶约530吨/年，市值12亿元/年，但这种光刻胶的供应商基本来自美国、日本，国内企业所用光刻胶全部依赖进口。
为了打破受制于人的尴尬局面，国内一家科研机构以对羟基苯甲醛(PHB)为起始原料，首先合成中间体对羟基肉桂酸（PHCA），然后再通过脱羧反应、催化氢化合成法等，制备对羟基苯乙烯（PHS），最后再由PHS出发，分别合成对乙酰氧基苯乙烯（PAS）和对特丁氧酰氧基苯乙烯（PTBOCS）。主要考察了反应溶剂及分离提纯方法对产品制备工艺的影响。研究结果表明：以4-甲基吡啶代替吡啶作为反应溶剂制备中间体PHCA，采用成盐法纯化PHS、萃取法精制PAS和PTBOCS，所得目标产物PHS产率为93%、PAS产率为88%、PT-BOCS产率为85%，产品纯度均大于98%。
现在该项研究已列入“江苏省产学研前瞻性联合研究项目”，进展顺利。

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